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    智芯微电子申请LDMOSFET器件的制造方法及器件专利,简化制造工艺步骤:电子器件

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    国家知识产权局信息显示,北京智芯微电子科技有限公司申请一项名为“LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件”的专利,公开号CN121001370A,申请日期为2025年7月电子器件。

    2026-01-11
1 共1页

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