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深圳争妍微电子申请一种GaN功率器件专利，有利于提高器件的可靠性:电子器件
国家知识产权局信息显示，深圳争妍微电子有限公司申请一项名为“一种GaN功率器件”的专利，公开号CN121285000A，申请日期为2025年9月电子器件。专利摘要显示，本公开实施例提供了一种GaN
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杰冠微电子取得高短路保护设计器件专利，提高器件的短路耐受能力:电子器件
国家知识产权局信息显示，扬州杰冠微电子有限公司取得一项名为“高短路保护设计器件”的专利，授权公告号CN223639612U，申请日期为2024年12月电子器件。专利摘要显示，高短路保护设计器件，涉及
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华南微电子申请一种半导体器件及其制造方法专利，提高器件良率:电子器件
国家知识产权局信息显示，深圳市华南微电子有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121038324A，申请日期为2025年8月电子器件。专利摘要显示，本发明涉及一种半导
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锝耀电子申请双向TVS半导体器件专利，避免虚焊提高器件电性能可靠性:电子器件
国家知识产权局信息显示，苏州锝耀电子有限公司申请一项名为“双向TVS半导体器件”的专利，公开号CN121311050A，申请日期为2021年5月电子器件。专利摘要显示，本发明公开一种双向TVS半导
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