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  • 中芯国际申请半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置专利,降低了功耗:电子器件

    中芯国际申请半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置专利,降低了功耗:电子器件

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    国家知识产权局信息显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“一种半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置”的专利,公开号CN121013360A,申请日期为2024年5月电子器件

    2026-01-11
  • 元脑智能申请电子器件散热装置及控制方法、电子设备专利,可根据目标电子器件温度动态调整散热结构物理形态:电子器件

    元脑智能申请电子器件散热装置及控制方法、电子设备专利,可根据目标电子器件温度动态调整散热结构物理形态:电子器件

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    国家知识产权局信息显示,苏州元脑智能科技有限公司申请一项名为“电子器件的散热装置及控制方法、电子设备”的专利,公开号CN121038110A,申请日期为2025年10月电子器件。专利摘要显示,本申请

    2026-01-11
  • 艾迈斯-欧司朗申请发光材料及相关制造方法、用途和光电子器件专利,可应用于光电子器件:电子器件

    艾迈斯-欧司朗申请发光材料及相关制造方法、用途和光电子器件专利,可应用于光电子器件:电子器件

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    国家知识产权局信息显示,艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司申请一项名为“发光材料、用于制造发光材料的方法、发光材料的用途和光电子器件”的专利,公开号CN121013898A,申请日期为2024年7月电子器

    2026-01-11
  • OPPO申请电子器件的功耗检测方法、装置、设备及存储介质专利,优化电子器件的功耗值:电子器件

    OPPO申请电子器件的功耗检测方法、装置、设备及存储介质专利,优化电子器件的功耗值:电子器件

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    国家知识产权局信息显示,OPPO广东移动通信有限公司申请一项名为“一种电子器件的功耗检测方法、装置、设备、存储介质”的专利,公开号CN121027649A,申请日期为2025年8月电子器件。专利摘

    2026-01-11
  • 苏州多感科技取得芯片模组及其形成方法、电子设备专利:电子科技

    苏州多感科技取得芯片模组及其形成方法、电子设备专利:电子科技

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    国家知识产权局信息显示,苏州多感科技有限公司取得一项名为“芯片模组及其形成方法、电子设备”的专利,授权公告号CN111477646B,申请日期为2020年5月电子科技。天眼查资料显示,苏州多感科技

    2026-01-11
  • 观微科技取得区域墒情检测方法、装置和电子设备专利:电子科技

    观微科技取得区域墒情检测方法、装置和电子设备专利:电子科技

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    国家知识产权局信息显示,北京观微科技有限公司取得一项名为“区域墒情检测方法、装置和电子设备”的专利,授权公告号CN119804822B,申请日期为2024年11月电子科技。天眼查资料显示,北京观微

    2026-01-11
  • 中航信移动科技取得输入联想方法、电子设备及存储介质专利:电子科技

    中航信移动科技取得输入联想方法、电子设备及存储介质专利:电子科技

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    国家知识产权局信息显示,中航信移动科技股份有限公司取得一项名为“一种输入联想方法、电子设备及存储介质”的专利,授权公告号CN116069174B,申请日期为2023年2月电子科技。天眼查资料显示,

    2026-01-11
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